RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1070–1075 (Mi phts3406)

Об одной особенности донора — серы в GaP

Ю. Ф. Бирюлин, Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, В. А. Писаревская, Е. В. Соловьева, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев


Аннотация: Рассмотрено влияние кулоновского взаимодействия на энергию основного состояния донора — серы в нелегированном и легированном редкоземельными и изовалентными примесями (РЗП и ИВП) GaP.
Особенности спектров примесного, поглощения в области ${6\div20}$ мкм и температурной зависимости концентрации свободных электронов (${T=77\div300}$ K) объясняются предположением о наличии в фосфиде галлия двух донорных уровней, связанных с серой. Энергия одного из этих уровней (${E\sim0.104}$ эВ) близка к энергии ионизации изолированного донора — серы, а другого — меньше этого значения на величину порядка кулоновской энергии взаимодействия с компенсирующими акцепторами. Примеси — индий, таллий, итербий — стабилизируют пространственное распределение мелких доноров и акцепторов.



© МИАН, 2026