Структурная чувствительность кривых фотоэдс в условиях образования стоячей рентгеновской волны в полупроводнике с $p{-}n$-переходом

М. В. Ковальчук, В. Г. Кон, Э. Ф. Лобанович


Аннотация: Впервые зафиксирована фазовая чувствительность кривых угловой зависимости фотоэдс, возбужденной стоячей рентгеновской волной, а также продемонстрирована возможность изучения сложных эффектов влияния структурного несовершенства и деформации полупроводникового кристалла на его электрофизические свойства на примере (111)-дифракции Сu$K_{\alpha}$-излучения в кристалле кремния с диффузионным слоем фосфора.