Спектры фоточувствительности структур Cu$-$CdSiP$_{2}$

Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров


Аннотация: Приведены результаты поляризационных исследований фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Сu$-$CdSiP$_{2}$ при 300 K в области $1{-}4$ эВ. Обсуждаются спектральные зависимости естественного фотоплеохроизма полученных диодов на основании существующей модели зонного спектра GdSiP$_{2}$. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в качестве фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения.