Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe

А. Н. Ковалев, П. И. Фоломин, С. И. Золотов


Аннотация: По результатам совместных исследований фотолюминесценции, примесной фотопроводимости и температурных зависимостей коэффициента Холла обнаружено существование глубоких уровней в запрещенной зоне нелегированного РbТе, которые обусловлены наличием собственных точечных дефектов или ассоциатов на их основе. Уровень ${E_{1}=E_{v}+0.095+5.5\cdot10^{-4} T\pm 5\cdot10^{-3}}$ при ${T<200}$ K, ${E_{1}=E_{v}+0.208+1.4\cdot10^{-4}}$ ${(T-200)\pm5\cdot10^{-3}}$ эВ при ${T >200}$ K является акцепторным, а уровни ${E_{2}=E_{v}+0.130}$ и ${E_{3}=E_{v}+0.115}$ эВ при 80 K — донорными.