Исследование релаксации энергии и захвата носителей заряда при фотоионизации примесных центров в $p$-GaAs

Е. В. Берегулин, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Работа посвящена изучению процессов релаксации неравновесных носителей заряда в $p$-GaAs при азотной температуре, когда ИК излучение вызывает генерацию носителей с примесного центра.
Показано, что захват на примесный центр Zn идет с испусканием полярного оптического фонона. Определены времена внутризонной релаксации и захвата на примесь. Изучено нелинейное по интенсивности поведение фотопроводимости и линейного фотогальванического эффекта.