RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 890–892 (Mi phts3367)

Краткие сообщения

Образование центров E10 (${E_{c}-0.62}$ эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме $n$-InP при электронном и $\gamma$-облучениях

Н. Н. Бакин, В. Н. Брудный, В. В. Пешев, С. В. Смородинов




© МИАН, 2026