Аннотация:
Исследовалась зависимость времени жизни $\tau$
от концентрации основных носителей в $n$- и $p$-Ge в интервале
${3\cdot10^{19} > n}$, ${p> 10^{16}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что при
${n,p>10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ время жизни определяется ударной
рекомбинацией на глубоких уровнях остаточной фоновой примеси. Для
$n$-Ge ${\tau\sim n^{-k}}$, ${1 <k<1.5}$.
Коэффициент рекомбинации ${C_{I}\simeq 10^{-26}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$.
При концентрации ${n,p >5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$$\tau$ перестает
уменьшаться с ростом концентрации основных носителей.
Предложено возможное объяснение этого эффекта, связанное с тем,
что при увеличении концентрации основных носителей
уменьшается длина свободного пробега $\lambda$ неосновного носителя.
Когда $\lambda$ становится меньше характерного размера ловушки,
время жизни будет определяться временем диффузии носителя к
центру рекомбинации.