RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 826–831 (Mi phts3352)

Оже-рекомбинация в сильно легированном германии

И. В. Карпова, В. И. Перель, С. М. Сыровегин


Аннотация: Исследовалась зависимость времени жизни $\tau$ от концентрации основных носителей в $n$- и $p$-Ge в интервале ${3\cdot10^{19} > n}$, ${p> 10^{16}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что при ${n,p>10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ время жизни определяется ударной рекомбинацией на глубоких уровнях остаточной фоновой примеси. Для $n$-Ge ${\tau\sim n^{-k}}$, ${1 <k<1.5}$. Коэффициент рекомбинации ${C_{I}\simeq 10^{-26}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$.
При концентрации ${n,p >5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ $\tau$ перестает уменьшаться с ростом концентрации основных носителей. Предложено возможное объяснение этого эффекта, связанное с тем, что при увеличении концентрации основных носителей уменьшается длина свободного пробега $\lambda$ неосновного носителя. Когда $\lambda$ становится меньше характерного размера ловушки, время жизни будет определяться временем диффузии носителя к центру рекомбинации.



© МИАН, 2026