Электропроводность и структура слоев аморфного кремния

А. А. Андреев, Т. А. Сидорова, Е. А. Казакова, М. С. Аблова, А. Я. Виноградов


Аннотация: Исследованы температурная зависимость электропроводности и край оптического поглощения слоев аморфного кремния, обладающих различной микроструктурой: нормально и наклонно осажденного аморфного кремния и аморфного гидрированного кремния. Три типа исследованных материалов демонстрируют общую последовательность смены активационных механизмов проводимости с энергиями активации 0.2, 0.4, 0.7 и 0.9 эВ, обусловленную участием единых в своей природе типов дефектов аморфной структуры. Такими дефектами являются изолированные ненасыщенные связи в объеме аморфной сетки и реконструированные ненасыщенные связи кремния на поверхности пор, глобул или столбов, формирующих микроструктуру. Энергия активации электропроводности 0.9 эВ соответствует собственной проводимости непрерывной тетраэдрической сетки аморфного кремния.