RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 796–803 (Mi phts3347)

Кинетические явления в одноосно деформированном $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с $\varepsilon_{g}>0$

А. В. Германенко, Г. М. Миньков, Е. Л. Румянцев, О. Э. Рут, О. В. Инишева


Аннотация: Исследовано влияние одноосного давления ${x\leqslant4.2}$ кбар на гальваномагнитные явления в $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.18-0.21}$) с ${N_{A}-N_{D}= (3\div40)\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ при ${T=1.8{-}300}$ K в магнитных полях до 50 кЭ. Показано, что сильное уменьшение коэффициента Холла в магнитном поле, наблюдаемое при малых деформациях и ${T<10}$ K, связано с конкуренцией проводимости по примесной зоне и свободными дырками. Так же как и в $p$-InSb, в $p$-HgCdTe энергия ионизации акцепторов уменьшается с ростом давления, обращаясь в нуль при некотором значении ${\chi=\chi^{*}}$, но при этом концентрация свободных дырок остается меньше концентрации нескомпенсированных акцепторов. Предполагается, что при ${\chi>\chi^{*}}$ уровень Ферми фиксирован на резонансном акцепторном состоянии. Это подтверждается исследованием осцилляции поперечного магнитосопротивления и коэффициента Холла, которые удалось обнаружить при ${\chi>3.5}$ кбар.



© МИАН, 2026