Аннотация:
Исследовано влияние одноосного давления ${x\leqslant4.2}$ кбар
на гальваномагнитные явления в $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
(${x=0.18-0.21}$) с
${N_{A}-N_{D}= (3\div40)\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$
при ${T=1.8{-}300}$ K в магнитных полях до 50 кЭ.
Показано, что сильное уменьшение коэффициента Холла в магнитном поле,
наблюдаемое при малых деформациях и ${T<10}$ K, связано с конкуренцией
проводимости по примесной зоне и свободными дырками. Так же как и
в $p$-InSb, в $p$-HgCdTe энергия ионизации акцепторов уменьшается с
ростом давления, обращаясь в нуль при некотором значении ${\chi=\chi^{*}}$,
но при этом концентрация свободных дырок остается
меньше концентрации нескомпенсированных акцепторов. Предполагается, что
при ${\chi>\chi^{*}}$ уровень Ферми фиксирован на
резонансном акцепторном состоянии. Это подтверждается исследованием
осцилляции поперечного магнитосопротивления
и коэффициента Холла, которые удалось обнаружить при ${\chi>3.5}$ кбар.