Физика и техника полупроводников,
1989, том 23, выпуск 5,страницы 792–795(Mi phts3346)
Исследование оптического усиления в сверхрешетках
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
Р. Балтрамеюнас, X. Вайнерт, Е. Геразимас, Э. Куокштис, Ф. Хеннебергер
Аннотация:
Экспериментально измерены спектры коэффициента
оптического усиления в композиционных сверхрешетках на основе
GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As при температуре 4.2 K и однофотонном
возбуждении. Для измерения спектров коэффициента оптического усиления
применена методика «тонкой полоски». В спектрах усиления
света обнаружена структура, свидетельствующая о конкуренции двух
механизмов излучательной рекомбинации в сильно
возбужденных сверхрешетках GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Полученные
результаты объясняются в рамках модели плотного экситонного газа в области
перехода данных квазичастиц при крайних накачках ввиду экранирования
кулоновского взаимодействия в двухкомпонентную
электронно-дырочную плазму.