RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 792–795 (Mi phts3346)

Исследование оптического усиления в сверхрешетках GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Р. Балтрамеюнас, X. Вайнерт, Е. Геразимас, Э. Куокштис, Ф. Хеннебергер


Аннотация: Экспериментально измерены спектры коэффициента оптического усиления в композиционных сверхрешетках на основе GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As при температуре 4.2 K и однофотонном возбуждении. Для измерения спектров коэффициента оптического усиления применена методика «тонкой полоски». В спектрах усиления света обнаружена структура, свидетельствующая о конкуренции двух механизмов излучательной рекомбинации в сильно возбужденных сверхрешетках GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Полученные результаты объясняются в рамках модели плотного экситонного газа в области перехода данных квазичастиц при крайних накачках ввиду экранирования кулоновского взаимодействия в двухкомпонентную электронно-дырочную плазму.



© МИАН, 2026