RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 4,
страницы
729–732
(Mi phts3331)
Краткие сообщения
Изучение локальных центров в
$p$
-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
В. Ю. Быковский
, В. И. Вовненко
,
Н. Л. Дмитрук
Полный текст:
PDF файл (533 kB)
©
МИАН
, 2026