RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 729–732 (Mi phts3331)

Краткие сообщения

Изучение локальных центров в $p$-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции

В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук




© МИАН, 2026