Гальваномагнитные свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик

Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов


Аннотация: Исследуются гальваномагнитные свойства кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик, связанного с индуцированной магнитным полем $B$ локализацией электронов. Показано, что при этом температурные зависимости продольного и поперечного магнитосопротивления можно представить в виде ${\rho^{-1}=\rho^{-1}_{0}\exp(\varepsilon/kT)+\rho^{-1}_{2}}$, где ${\rho_{0},\rho_{2}\sim B}$ и $\rho_{2}$ слабо зависят от $T$. Энергия активации $\varepsilon$ равна нулю до перехода и увеличивается с ростом $B$. Постоянная Холла при этом слабо зависит от $B,T$. Результаты объясняются на основе модели случайно неоднородной среды, возникающей после перехода за счет локализации электронов в ямах флуктуационного потенциала. Проводимость $\rho^{-1}_{2}$ связывается с переносом тока по сетке малоугловых границ.