Исследование спектров примесного поглощения $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H методом фотоакустической спектроскопии

Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, Э. М. Омельяновский, В. Е. Сизов


Аннотация: Исследовались спектры оптического поглощения $\alpha(\hbar\omega$) в примесной области $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H при изменении значения $x$ от 0 до 0.4, измеренные методом фотоакустической спектроскопии. Созданная установка позволяет определять значения $\alpha$ от 1 до $10^{3}\,\text{см}^{-1}$ при толщинах пленок ${\sim1}$ мкм. Получена линейная зависимость оптической энергии активации (${E_{c}-E_{t}}$) электрона с $D^{0}$-зарядового состояния $D$-центров от состава сплава. Совместный анализ $\alpha(\hbar\omega$) в примесной области для всех образцов и полученной методом ЭПР зависимости плотности $D^{0}$-центров ($N_{s}$) от состава позволил сделать вывод об уменьшении матричного элемента перехода для этих центров в $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : Н при увеличении $x$.