RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 616–620 (Mi phts3303)

Емкостные характеристики барьера на границе Ме$-$ХСП

Г. А. Бордовский, М. Р. Каничев, В. М. Любин


Аннотация: Приведены результаты исследования емкостных характеристик образцов Аl$-$As$_{2}$Se$_{3}{-}$Аl квазистатическим методом. Полученные данные свидетельствуют о том, что только в области малых $dV/dt$ емкость образца определяется емкостью барьера. Оценена высота барьера на границе Аl$-$As$_{2}$Se$_{3}$ и открыта возможность применения емкостной спектроскопии для изучения электронных состояний в ХСП.



© МИАН, 2026