Аннотация:
Приведены результаты исследования емкостных характеристик образцов
Аl$-$As$_{2}$Se$_{3}{-}$Аl квазистатическим методом.
Полученные данные свидетельствуют о том, что только
в области малых $dV/dt$ емкость образца определяется емкостью
барьера. Оценена высота барьера на границе Аl$-$As$_{2}$Se$_{3}$
и открыта возможность применения емкостной спектроскопии для
изучения электронных состояний в ХСП.