Оптическая анизотропия полупроводниковых соединений A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$, обусловленная пространственной дисперсией

Р. М. Акопян, В. Н. Багдавадзе, О. В. Гоголин, Е. Г. Цицишвили


Аннотация: Измерено естественное двойное лучепреломление $\Delta n$ в кубических полупроводниковых соединениях со структурой цинковой обманки группы A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ : CdTe, ZnSe и ZnTe вблизи основной полосы поглощения. Наблюдаемый эффект обусловлен пространственной дисперсией диэлектрической проницаемости вещества. Обсуждаются различные механизмы, которые могут давать вклад в величину $\Delta n$: междузонные и экситонные переходы, квадрупольные переходы, влияние линейных членов. Показано, что эффект в основном связан с анизотропией энергетического спектра валентной зоны $\Gamma_{8}$. Спектральная зависимость величины двойного лучепреломления объяснена на основе междузонных и экситонных переходов. Определены величины и знак параметров гофрировки (${\tilde{\gamma}_{2}-\tilde{\gamma}_{3}}$) валентных зон кристаллов.