Фотоэлектрические свойства AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким «широкозонным окном»

В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков


Аннотация: Исследованы зависимости коэффициента собирания фотогенерированных носителей ($Q$) от толщины (${W=20\div300}$ Å) и состава (${x=0.15\div0.9}$) слоев твердых растворов в гетероструктурах $n$-GaAs${-p$-GaAs${-}p$-AlGaAs}, полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Определены оптимальные параметры этих слоев (${w=50\div60}$ Å; ${x=0.7}$), при которых достигается значительное расширение фоточувствительности в коротковолновую (ультрафиолетовую) область спектра и обеспечиваются минимальные потери на туннелирование через широкозонный слой и поверхностную рекомбинацию носителей в полосе прозрачности твердого раствора.