RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 8, страницы 1423–1427 (Mi phts327)

О механизмах рассеяния электронов в халькогенидах свинца

А. И. Лебедев, Х. А. Абдуллин


Аннотация: Подробно исследована температурно-зависящая часть удельного сопротивления в образцах халькогенидов свинца и их твердых растворов n-типа проводимости (${n=10^{17}\div10^{20}\,\text{см}^{-3}}$). Показано, что кривые ($d\rho/dT)(T)$ хорошо описываются в предположении существования двух процессов рассеяния, характеризуемых следующими зависимостями квадрата матричного элемента от температуры и переданного импульса: ${|M_{1}|^{2}\sim kTq^{0}}$ и ${|M_{2}|^{2}\sim (kT)^{2}q^{-2}}$ (${T\gtrsim 30}$ K).
Обнаружены новые экспериментальные закономерности, не укладывающиеся в рамки существующих моделей рассеяния свободных носителей в халькогенидах свинца.



© МИАН, 2026