Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн

Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Исследованы резонансные явления в фотоэлектрических свойствах диодов Шоттки с регулярно профилированной поверхностью: резонансные пики фотоответа на спектральных и угловых зависимостях при возбуждении $p$-поляризованным светом и аналогичные пики в спектрах электролюминесценции диодов в условиях, когда возможно существование поверхностных электромагнитных волн на границе металл$-$полупроводник, так называемой «медленной» поляритонной моды.
В структурах Аu${-}n$-GaP при возбуждении примесным светом со стороны полупроводника фотоответ возрастает более чем на порядок по сравнению с диодом без профилирования и становится селективным, причем резонансная длина волны сильно зависит от диэлектрических свойств границы раздела.
На спектрах электролюминесценции этих же структур получены линейно поляризованные пики, вызванные возбуждением поверхностных электромагнитных волн.