Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te

А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Т. А. Нуллер, А. А. Шленский, Т. Г. Югова


Аннотация: Изучено влияние термообработки в протоке Н$_{2}$ и под расплавом Ga$-$Al$-$As на распределение интенсивности микрокатодолюминесценции ($J_{\text{МКЛ}}$) по толщине слоев и спектры фотолюминесценции (ФЛ) легированных Sn или Те гомоэпитаксиальных слоев (ЭС) GaAs, полученных методом ЖФЭ. Были изучены слои толщиной ${h\sim80}$, 60, 45 и 30 мкм, полученные путем химического утоньшения всей поверхности структуры или ступеньками. Показано, что термообработка в протоке Н$_{2}$ приводит к существенному (в 4$-$10 раз) падению Jмкл по всей толщине слоя с ${h > 40}$ мкм, при этом в ЭС, легированных Sn, это падение значительно сильнее, чем при легировании Те. В ЭС, легированных Sn, с ${h<40}$ мкм изменение $J_{\text{МКЛ}}$ существенно меньше. Термообработка под расплавом Ga$-$Al$-$As приводит к восстановлению $J_{\text{МКЛ}}$ в областях, примыкающих к поверхности ЭС и к подложке, в ЭС, легированных Sn. В ЭС, легированных Те, восстановления $J_{\text{МКЛ}}$ не происходит после такой термообработки. Полученные результаты объясняются с позиции влияния типа и концентрации собственных точечных дефектов структуры, а также их диффузии и взаимодействия в процессе различных термообработок на рекомбинационные параметры эпитаксиальных слоев GaAs.