RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 2, страницы 332–337 (Mi phts3240)

Ударная ионизация глубоких уровней в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия

Н. Б. Лукьянчикова


Аннотация: Проанализированы особенности поведения коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок, связанной с ударной ионизацией локальных центров в обратно смещенном диоде. Предсказан и обнаружен экспериментально эффект уменьшения меньшего из коэффициентов ударной ионизации с ростом электрического поля. Показано, что избыточные, обусловленные ударной ионизацией токи, обнаруженные ранее в лавинно-пролетных диодах на основе арсенида галлия в области полей ${(2\div5)\cdot10^{5}}$ В/см, являются следствием ударной ионизации локальных центров, расположенных в приповерхностном слое диодов.



© МИАН, 2026