Исследование методом аннигиляции позитронов дефектов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона

А. И. Гирка, Е. Б. Клопиков, В. А. Скуратов, А. В. Шишкин


Аннотация: Приведены результаты измерения времени жизни позитронов в монокристаллах кремния, облученных ионами ксенона с энергией ${\sim1}$ МэВ/нуклон (диапазон флюенсов ${7\cdot10^{10}{-}6\cdot10^{13}\,\text{см}^{-2}}$). Экспериментально показано, что основным типом дефектов, захватывающих позитроны, вероятно, являются дивакансии, время жизни позитронов в которых (${320\pm15}$) пс. Отжиг дивакансии имеет место при ${T\gtrsim450^{\circ}}$С с энергией активации миграции ${E_{\text{а}}^{\text{м}}=(1.0\pm0.2}$) эВ. Обнаружено, что в пределах поврежденного слоя толщиной ${\sim16}$ мкм распределение дивакансии, концентрация которых ${\sim10^{19}\,\text{см}^{-3}}$, по глубине равномерное.