RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 2, страницы 312–315 (Mi phts3236)

Поляризационная фоточувствительность барьеров электролит$-$CdGeP$_{2}$

Д. Н. Горячев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров


Аннотация: Исследованы фотоэлектрические процессы на энергетическом барьере, возникающем на границе $n$- и $p$-CdGeP$_{2}$ с электролитом. Получены выпрямляющие фоточувствительные в области фундаментального поглощения тройного фосфида структуры. Обнаружена поляризационная фоточувствительность ячеек. Показано, что поляризационные параметры ячеек определяются анизотропией фотоактивного собственного и примесного поглощения CdGeP$_{2}$. Сделан вывод о возможности практического применения изученных энергетических барьеров.



© МИАН, 2026