Увлечение дырок ИК излучением в одноосно деформированном полупроводнике

Е. В. Баханова, Ф. Т. Васько


Аннотация: Вычислен статический ток, обусловленный передачей импульса далекого ИК излучения дыркам при их переходах между расщепленными одноосной деформацией состояниями зоны $\Gamma_{8}$. Рассмотрена изотропная модель зонной структуры для случая сильно сжатого полупроводника. Обсуждаются спектральные и угловые зависимости резонансного тока увлечения, который оказывается в максимуме на порядок большим, чем экспериментально исследовавшийся ток и недеформированных материалах.