Влияние термодоноров на радиационное дефектообразование в кремнии

В. Б. Неймаш, В. М. Сирацкий, М. Г. Соснин, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич


Аннотация: Методами ИК спектроскопии, нестационарной емкостной спектроскопии и по эффекту Холла исследовано влияние кислородосодержащих термодоноров (ТД), образующихся в $n$-Si при $450^{\circ}$С, на кинетику накопления $A$-, $E$- и $V_{2}$-центров. Показано отсутствие влияния ТД (при ${N_{\text{ТД}}=10^{13}\div3\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$) на генерацию этих РД в диапазоне доз электронного (${E_{e}=3}$ МэВ) облучения ${10^{13}\div1.4\cdot10^{18}\,\text{см}^{-2}}$. Обнаружено аномальное уменьшение подвижности носителей тока в облученном кремнии, содержащем ТД. Полученные результаты объясняются отсутствием взаимодействия ТД с компонентами пар Френкеля, а также неоднородным распределением ТД в кремнии.