RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 2, страницы 244–249 (Mi phts3224)

Осцилляции Шубникова$-$де-Гааза в PbTe(Cr)

Б. А. Акимов, П. В. Вертелецкий, В. П. Зломанов, Л. И. Рябова, О. И. Тананаева, Н. А. Широкова


Аннотация: Методами пар$-$жидкость$-$кристалл и направленной кристаллизации расплава синтезированы монокристаллы РbТе с содержанием хрома от 0.2 до 0.4 ат%. Установлено, что в РbТе(Сr) имеет место эффект химической стабилизации положения уровня Ферми, отвечающий концентрации электронов ${n\simeq1.2\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$. Обнаружено, что при указанной концентрации в сплавах регистрируется ${\sim100}$ экстремумов осцилляции ШГ. Особенности осцилляционной картины и аномальная зависимость амплитуд осцилляции ШГ указывают на то, что РbТе(Сr) является полумагнитным полупроводником.



© МИАН, 2026