Глубокий уровень, вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb

В. Я. Принц, Е. Х. Хайри, В. А. Самойлов, Ю. Б. Болховитянов

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Методом РСГУ (DLTS) исследовано влияние легирования эпитаксиального арсенида галлия сурьмой на спектр дефектов с глубокими уровнями. Обнаружено, что легированием вводится новый глубокий уровень $A$ (${E_{v}+0.52}$ эВ). Сечения захвата электронов и дырок для данного уровня и остаточного уровня $A$ (${E_{v}+0.4}$ эВ) близки друг к другу. Высказано предположение о природе центра, обусловливающего уровень.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.10.1985
Принята в печать: 20.12.1985