Люминесценция глубоких уровней в $n$-GaAs : Ge, Bi

В. В. Чалдышев, Н. А. Якушева


Аннотация: Исследована фотолюминесценция эпитаксиальных слоев $n$-GaAs : Ge, Bi при различных уровнях легирования германием и висмутом. Обнаружены две линии излучения глубоких уровней с максимумами 1.36 и 1.25$-$1.30 эВ. Установлено, что линия 1.25$-$1.30 эВ связана с германием, в то время как линия 1.36 эВ скорее всего обусловлена фоновым загрязнением медью.