RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 8, страницы 1380–1387 (Mi phts320)

Влияние изовалентных примесей — источников упругих напряжений в кристалле на поведение точечных дефектов

Н. С. Рытова, Е. В. Соловьева

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"

Аннотация: Рассмотрено поведение собственных точечных дефектов в поле упругих напряжений, источниками которых являются изовалентные примеси (ИВП). Экспериментальные результаты указывают на необходимость учета двух противоположных механизмов воздействия ИВП на концентрацию дефектов: связывание свободных дефектов в комплексы и их дополнительную генерацию. Наряду с эффектом связывания дефектов короткодействующей составляющей потенциала предложен флуктуационный механизм генерации дефектов, обусловленный дальнодействием упругого поля. Учет дальнодействия приводит к экспоненциальной зависимости концентрации дефектов от концентрации примеси. Обсуждаются пределы применимости развитой теории, проводится сопоставление теории с экспериментом.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.04.1985
Принята в печать: 14.12.1985



© МИАН, 2026