Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний

А. С. Кюрегян


Аннотация: На основе подхода, развитого Б.И.  Шкловским с сотрудниками (ФТП. 1988. Т. 22. В. 1. С. 642–653) для вычисления поперечной проводимости тонких аморфных пленок, построена теория многоступенчатого туннелирования через запрещенную зону полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний (ЛС) при низких температурах. Показано, что независимо от размерности полупроводника, вида закона дисперсии и спектра ЛС скорость генерации $G$ носителей заряда в истощенных слоях зависит от напряженности поля $E$ по закону ${G(E)\sim\exp(-2\sqrt{2\varepsilon_{g}/qEa_{0}}f_{G})}$, где $f_{G}$ — логарифмически слабая функция $E$, ширины запрещенной зоны $\varepsilon_{g}$, радиуса локализации электрона $a_{0}$ и плотности ЛС.