Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов Mn$_{\text{Ga}}$ в $p$-GaAs

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, О. Г. Красикова, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков


Аннотация: В рамках модели нейтрального акцептора Mn$_{\text{Ga}}$ (Mn$_{\text{Ga}}^{2+}$ + связанная дырка), учитывающей обменное взаимодействие дырки с пятью электронами $3d$-оболочки Mn, рассмотрено влияние расщепления основного состояния (полный момент ${F=1}$) в случайных электрических или деформационных полях на спектр ЭПР. Вычислены форма, положение и интенсивность линий, соответствующих разрешенным (${\Delta m_{F}=\pm1}$) и запрещенным (${\Delta m_{F}=\pm2}$) переходам, при произвольных соотношениях расщеплений основного уровня в магнитном поле и хаотических полях. Показано, что экспериментальные спектры ЭПР, полученные на лучших образцах, согласуются с расчетными при $g$-факторе основного состояния ${\sim2.77}$ и максимальном расщеплении этого состояния в случайных полях ${10\div30}$ мкэВ. Указанные значения параметров согласуются с результатами других экспериментов.