RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 44–47 (Mi phts3182)

Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi

В. В. Чалдышев, Н. А. Якушева


Аннотация: Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного германием и выращенного из галлиевого, висмутового и смешанных растворов-расплавов. Обсуждаются причины изменения концентраций мелких доноров и акцепторов при изменении состава растворителя. Показано, что концентрация доноров обратно пропорциональна содержанию галлия, а концентрация акцепторов — растворимости мышьяка в растворе-расплаве.



© МИАН, 2026