Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии

З. Болд, А. Г. Казанский, И. В. Климашин, Е. П. Миличевич, Е. И. Теруков


Аннотация: Исследовано влияние энергии возбуждения в области энергий квантов ${1.04\div2.5}$ эВ на температурное гашение фотопроводимости в гидрогенизированном аморфном кремнии ($a$-Si : Н) Измерения проведены на пленках нелегированного $a$-Si : Н, полученного методом разложения моносилана в ВЧ тлеющем разряде.
Измерения показали, что отношение максимальной к минимальной величине фотопроводимости ($\sigma^{\max}_{\text{ф}}/\sigma^{\min}_{\text{ф}}$) в области температурного гашения уменьшается при уменьшении энергии кванта до ${h\nu\approx1.6}$ эВ. При дальнейшем уменьшении $h\nu$ величина $\sigma^{\max}_{\text{ф}}/\sigma^{\min}_{\text{ф}}$ изменяется слабо и спадает при ${h\nu< 1.3}$ эВ. Для ${h\nu< 1.1}$ эВ температурного гашения фотопроводимости не наблюдается.
Анализ зависимостей величины $\sigma^{\max}_{\text{ф}}$ и температуры наблюдения $T_{\max}$ от интенсивности возбуждения указывает на возможность существования двух типов состояний, определяющих температурное гашение в $a$-Si : Н. Данные состояния расположены на расстоянии ${\sim0.35}$ и ${0.65\div0. 75}$ эВ от валентной зоны.