Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов

А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц


Аннотация: Получены аналитические выражения спектральной зависимости излучения, возникающего при рекомбинации носителей на бинарных комплексах дефектов, с учетом электрон-фононного взаимодействия. Определены спектральные характеристики сечения фотоионизации комплексов дефектов в полупроводниках. Обнаружено, что формы линий излучения и поглощения комплекса близко расположенных дефектов в полупроводниках качественно отличаются от линий изолированных дефектов и $DA$-пар. Проведено сравнение теоретических результатов с экспериментом на примере краевого излучения CdS.