RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 11, страницы 2039–2042 (Mi phts3127)

Определение профиля концентрации лития при его дрейфе в кремнии по емкостным измерениям

В. М. Андреев, В. К. Еремин, Н. В. Строкан, Е. В. Шокина


Аннотация: Стандартные вольтфарадные характеристики не позволяют однозначно решать задачу восстановления профиля распределения примесей в общем случае. Дополнительные условия ее решения вытекают из модели $p{-}n$-перехода. В работе из свойств процесса переноса в электрическом поле ионов лития выделены основные закономерности его распределения в $n^{+}{-}i$ (Li)${-}p$-структуре. Показано, что они позволяют восстанавливать распределение лития в $i$-области по емкостным измерениям. Точность совпадения восстановленного профиля с истинным оценена путем численного моделирования процесса дрейфа. Приведены примеры обработки экспериментальных $C(V)$-зависимостей для различных стадий дрейфа лития в кремнии.



© МИАН, 2026