Поведение центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs при термообработках

А. В. Картавых, Е. С. Юрова, М. Г. Мильвидский, С. П. Гришина, И. А. Ковальчук


Аннотация: Исследованы закономерности поведения центров EL2 в монокристаллах полуизолирующего GaAs, выращенных с разным отклонением от стехиометрического состава при термообработке в режимах, близких к постимплантационному отжигу. Обнаружено существенное влияние отклонения от стехиометрии и легирования индием на однородность распределения центров EL2 в объеме монокристаллов и их термостабильность. Выявлены закономерные изменения концентрации центров EL2 и повышение однородности их распределения в результате термообработки. Обсуждается природа наблюдаемых явлений.