Электрические свойства кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях

Н. А. Аблязимова, А. И. Вейнгер, В. С. Питанов


Аннотация: Изучены вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых $p{-}n$-переходов в сильных СВЧ полях. Оказалось, что изменение ВАХ этих $p{-}n$-переходов наблюдается уже в относительно слабых полях, когда рост температуры носителей заряда еще не заметен. Исследовано поведение коэффициента неидеальности, тока короткого замыкания $I_{\text{кз}}$ от напряжения холостого хода $U_{\text{xx}}$ в этих условиях. По зависимости $I_{\text{кз}}$ обратной температуры носителей заряда определена высота барьера, который необходимо преодолеть носителям для рекомбинации. Рост $U_{\text{xx}}$ не согласуется с изменением температуры носителей заряда. Обсуждены возможные механизмы возникновения ЭДС в кремниевых $p{-}n$-переходах в сильных СВЧ полях.