Энергетический спектр локализованных $D$-состояний в легированных образцах $a$-Si : Н

Л. А. Балагуров, Э. М. Омельяновский, К. К. Примбетов, М. Н. Стариков


Аннотация: Исследовались зависимости энергии активации равновесной проводимости $\varepsilon_{\sigma}$, времен жизни электронов и дырок в $a$-Si : Н от уровня легирования. Параметры распределения $\rho(\varepsilon)$ плотности локализованных $D$-состояний, образованных оборванными связями кремния, определены с учетом изменения при легировании плотности оборванных связей кремния. Показано, что с увеличением концентрации вводимой примеси растет амплитуда $\rho(\varepsilon)$, а полуширина и энергетическое положение пиков плотности $D$-состояний остаются по существу теми же, что и в нелегированном $a$-Si : Н.