Сравнительное исследование люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении

В. Л. Королев, В. Г. Сидоров


Аннотация: Экспериментально показано, что наблюдаемое различие спектров люминесценции GaAs(Si) при фото- и электровозбуждении не является следствием зависимости механизмов рекомбинации от способа возбуждения, а связано с самопоглощением люминесценции в толще структуры. При этом также установлено, что областью генерации электролюминесценции в светодиодных структурах из GaAs(Si) с концентрацией кремния ${\sim 3\cdot 10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ является $p$-область в ${3\div12}$ мкм от $p{-}n$-перехода.