Влияние легирующих примесей на формирование переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия

А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский


Аннотация: Методами МКЛ и ФЛ изучено влияние легирующей примеси и условий выращивания на люминесцентные характеристики и размеры переходных слоев в однослойных эпитаксиальных структурах арсенида галлия $n$- и $p$-типа. Показано, что толщина переходного слоя и характер распределения рекомбинационных центров около границы со стороны эпитаксиального слоя определяются диффузионной подвижностью собственных точечных дефектов в подложке, а также природой и уровнем легирования эпитаксиального слоя.