RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10, страницы 1775–1779 (Mi phts3072)

Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии

Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков


Аннотация: Исследовано проявление эффектов размерного квантования в спектрах спонтанного и когерентного излучения, а также приведена зависимость пороговой плотности тока ($j_{\text{п}}$) от длины резонатора Фабри–Перо ($L$) в AlGaAs-гетеролазерах, выращенных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. При толщине активной области ${d=120\div160}$ Å минимальное значение $j_{\text{п}}$ составило 175 А/см$^{2}$ при ${L=1400}$ мкм (${T=300}$ K). В диапазоне малых длин резонатора (${L\approx60\div200}$ мкм) получены значения $j_{\text{п}}$, рекордно низкие по сравнению с опубликованными результатами других работ.



© МИАН, 2026