Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении

З. М. Алексеева, В. М. Диамант, Л. М. Красильникова, Н. П. Криворотов, Л. П. Пороховниченко


Аннотация: Исследовано влияние гидростатического давления на сопротивление эпитаксиальных слоев GaAs, легированных серой. Изучались слои с концентрацией электронов ${10^{15}\div5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ Анализировалось изменение барочувствительности сопротивления в зависимости от давления и концентрации электронов в эпитаксиальном слое.
Показано, что при всестороннем сжатии присутствие ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях приводит к возникновению касательных напряжений (эффект анизотропии сжатия) и, как следствие, к изменению барических зависимостей сопротивления по сравнению с бездефектными слоями.
Сравнивались экспериментальные результаты с расчетными данными, полученными для трехзонной модели арсенида галлия. Хорошее согласие расчета и эксперимента наблюдается для случая бездефектных эпитаксиальных слоев. Проведена количественная оценка касательных напряжений в эпитаксиальных слоях с ростовыми дефектами.