Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов

В. Н. Якимкин, В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, В. С. Вавилов, А. Э. Седельников, В. А. Дравин, В. В. Черняев, Н. Ю. Пономарев


Аннотация: Методами люминесценции и резерфордовского обратного рассеяния исследованы кристаллы имплантированного GaAs, подвергнутые отжигу наносекундными импульсами рубинового лазера. Установлено, что точечные имплантационные дефекты, проникающие ввиду их большой подвижности в GaAs далеко за пределы области, подвергнутой непосредственному воздействию ионной имплантации (аморфизованной), оказывают определяющее влияние на свойства полученных в результате имплантации и лазерного отжига кристаллов в результате обратной диффузии к поверхности за фронтом кристаллизации переплавленного лазером слоя.