RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1298–1301 (Mi phts302)

Теория $S$-образной вольтамперной характеристики в многослойной изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре

О. А. Мезрин, С. И. Трошков

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Теоретически показано, что при протекании тока перпендикулярно слоям в многослойной изотипной $n^{+}{-}n$-гетероструктуре с сильно легированными узкозонными и слабо легированными (или перекомпенсированными) широкозонными слоями возможно возникновение $S$-образности на ВАХ. Указанные характеристики получены при учете разогрева электронов в узкозонных слоях.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 18.07.1985
Принята в печать: 11.02.1986



© МИАН, 2026