RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8, страницы 1469–1473 (Mi phts3000)

Зона локальных состояний в сплаве Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.125}$), облученном электронами

Н. Б. Брандт, В. Н. Доропей, В. П. Дубков, Е. П. Скипетров


Аннотация: Исследованы зависимости концентрации электронов от потока облучения и барические зависимости концентрации электронов в образцах сплава $n$-Pb$_{1-x$Sn$_{x}$Se} (${x= 0.125}$), облученных быстрыми электронами (${T_{\text{обл}}\simeq300}$ K, ${E=6}$ МэВ, ${\Phi\leqslant4.1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$), в интервале давлений ${P\leqslant18}$ кбар. Полученные результаты использованы для определения энергетического положения и структуры локальной зоны, возникающей при электронном облучении в энергетическом спектре сплава. Показано, что при атмосферном давлении зона локальных состояний расположена в зоне проводимости (${E_{t}\simeq E_{c}+0.056}$ эВ) и ее положение относительно терма $L^{-}_{6}$ практически не зависит от давления. Функция плотности состояний в локальной зоне удовлетворительно описывается кривой гауссовского типа, а ширина локальной зоны в исследованных образцах составляет ${\sigma=13\div20}$ мэВ.



© МИАН, 2026