RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8, страницы 1422–1427 (Mi phts2993)

Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния

Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, В. Нятикшис, М. Пятраускас


Аннотация: Исследованы пикосекундные дифракционные решетки в кристаллах кремния, подвергнутых ионному легированию и последующей рекристаллизации с помощью импульсного лазерного отжига. Использована методика зондирования распада динамических решеток, индуцированных интерферирующими лучами пикосекундного лазера на поверхности полупроводника. Проведен теоретический анализ дифракционной эффективности с учетом модуляции коэффициента преломления вещества под действием лазерного излучения и процессов рекомбинации ННЗ в приповерхностной области кристалла. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными.



© МИАН, 2026