Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 8,страницы 1422–1427(Mi phts2993)
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток
в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, В. Нятикшис, М. Пятраускас
Аннотация:
Исследованы пикосекундные дифракционные
решетки в кристаллах кремния, подвергнутых ионному легированию
и последующей рекристаллизации с помощью импульсного лазерного отжига.
Использована методика зондирования распада динамических решеток,
индуцированных интерферирующими лучами пикосекундного лазера на поверхности
полупроводника. Проведен теоретический анализ дифракционной эффективности
с учетом модуляции коэффициента преломления вещества под действием лазерного
излучения и процессов рекомбинации ННЗ в приповерхностной области кристалла.
Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными.