Аннотация:
Найдено пространственное распределение концентрации
носителей для одиночного гетероперехода при больших уровнях
инжекции. Показано, что из-за неоднородного распределения электронов в
$n$-области вблизи границы возникает узкий слой порядка ширины
активной области, в котором мнимая часть диэлектрической проницаемости
отрицательна. Поле волны локализовано в этом слое. Получена
связь концентрации носителей и плотности тока на пороге генерации.