RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 8, страницы 1381–1386 (Mi phts2984)

Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом

Б. Л. Гельмонт, Г. Г. Зегря


Аннотация: Найдено пространственное распределение концентрации носителей для одиночного гетероперехода при больших уровнях инжекции. Показано, что из-за неоднородного распределения электронов в $n$-области вблизи границы возникает узкий слой порядка ширины активной области, в котором мнимая часть диэлектрической проницаемости отрицательна. Поле волны локализовано в этом слое. Получена связь концентрации носителей и плотности тока на пороге генерации.



© МИАН, 2026