Электрон-электронное взаимодействие и анизотропия энергетического спектра узкощелевых полупроводников

Б. Л. Гельмонт, М. В. Кисин


Аннотация: В рамках двухзонной модели узкощелевого полупроводника с эллипсоидальными изоэнергетическими поверхностями исследовано влияние обменного электрон-электронного взаимодействия на величину наблюдаемых параметров энергетического спектра и высокочастотную диэлектрическую проницаемость. Найден вклад электрон-электронного взаимодействия в наблюдаемую величину коэффициента анизотропии поверхности Ферми. Показано, что даже без учета влияния высших зон анизотропия уменьшается с уменьшением ширины запрещенной зоны и увеличивается с ростом концентрации свободных носителей заряда. Произведен расчет высокочастотной диэлектрической проницаемости для системы твердых растворов Рb$_{1-x}$Sn$_{x}$Tе.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 20.09.1985
Принята в печать: 23.01.1986