Исследование особенностей переноса носителей в гетероструктурах с тонкими активными областями

Ю. А. Акулова, А. А. Яковенко, В. Г. Груздов, Р. А. Гуламов, В. И. Корольков, О. А. Мезрин


Аннотация: Изложена электролюминесцентная методика измерения квазибаллистического транспорта неосновных носителей в гетероструктурах в системе InP$-$InGaAsP, имеющих широкозонный $n$-эмиттер, узкозонную $p$-базу и коллектор того же типа проводимости. Определено, что при энергетическом зазоре эмиттер–коллектор ${\sim0.25}$ эВ и базовой области толщиной 200 Å, выполненной из $p$-In$_{0.57}$Ga$_{0.43}$As$_{0.9}$P$_{0.1}$ (${p\simeq2\cdot 10^{17}}\,\text{см}^{-3}$), коллектор достигают практически все инжектированные электроны.