Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр

В. И. Остроумов, Г. Г. Соловьев, А. И. Труфанов


Аннотация: Введена и исследована дозово-зависимая функция радиационного воздействия $\zeta_{Q}(T,D)$ — вклад выбитого атакующим излучением атома с энергией $T$ в изменение свойства $Q$ материала, ранее поглотившего дозу величиной $D$.
Показано, каким образом такая функция может быть восстановлена по данным экспериментальных исследований. Для доз в интервале ${0\div500}$ кГр приведены результаты восстановления $\zeta_{\rho}(T,D)$ — функции радиационного воздействия на электропроводность кремния. С помощью $\zeta_{\rho}(T,D)$ выполнен расчет глубинного распределения удельного сопротивления в кремнии, облученном электронами мегаэлектронвольтного диапазона при значениях флюенса до $10^{17}\,\text{см}^{-2}$. Установлено удовлетворительное согласие расчетных величин и независимых экспериментальных данных. Отмечено, что в рамках развиваемой модели автоматически учитывается зависимость повреждения кристалла от последовательности облучения его в двух или нескольких радиационных полях.