Аннотация:
Приводятся результаты исследования электрических:
свойств эпитаксиальных слоев (ЭС) $p$-Mn$_{x$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te}
(МКРТ) с шириной запрещенной зоны ${250\div350}$ мэВ, полученных методом
жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных теллуром.
По температурным зависимостям коэффициента Холла и холловской подвижности
оценены концентрации электрически активных доноров и акцепторов.
Концентрация дырок вблизи температуры жидкого азота находится на уровне
$10^{15}\,\text{см}^{-3}$, что на 2 порядка ниже, чем в ЭС
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных в аналогичных условиях. Этот эффект
связывается со снижением концентрации собственных дефектов
за счет введения марганца в состав твердого раствора.