RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1258–1261 (Mi phts2952)

Электрические свойства эпитаксиальных слоев Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te

Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. Ф. Мовилэ


Аннотация: Приводятся результаты исследования электрических: свойств эпитаксиальных слоев (ЭС) $p$-Mn$_{x$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te} (МКРТ) с шириной запрещенной зоны ${250\div350}$ мэВ, полученных методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных теллуром. По температурным зависимостям коэффициента Холла и холловской подвижности оценены концентрации электрически активных доноров и акцепторов. Концентрация дырок вблизи температуры жидкого азота находится на уровне $10^{15}\,\text{см}^{-3}$, что на 2 порядка ниже, чем в ЭС Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, полученных в аналогичных условиях. Этот эффект связывается со снижением концентрации собственных дефектов за счет введения марганца в состав твердого раствора.



© МИАН, 2026